Усилители мощности (РЧ)
Блочный повышающий конвертер (BUC)
Приёмопередающие модули
РЧ Компоненты
Антидронный системы
РЭБ
Коммуникация
Радар
Тестирование и измерение
Широкополосный усилитель высокой мощности KB80120M47C
ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
Модуль усилителя мощности КВ80120М47С – это многодиапазонный (мультиоктавный) СВЧ-продукт. Он имеет широкий диапазон РЧ-сигналов, работает в диапазоне 8–12 ГГц с типичной мощностью насыщения 50 Вт.
Усиление – 47 дБ, неравномерность усиления – ±1 дБ. Данные испытаний подтверждают стабильную передачу сигналов, что упрощает ввод системы в эксплуатацию.
Продукт KeyLink KB80120M47C применяется в X-диапазоне, который используется в радиолокации и спутниковой связи. В диапазоне УВЧ усилитель обладает преимуществами компактной конструкции, лёгкого веса, высокой степени интеграции, хорошими РЧ-характеристиками и низким энергопотреблением. Наши модули обладают гибкостью и возможностью настройки для различных отраслей и систем, обеспечивая надёжные решения.
Типичное рабочее напряжение – 28 В, потребляемый ток – 8 А при 40 Вт. Типы разъёмов – стандартные SMA-розетка. Усилитель использует GaN-транзисторы с алюминиевым корпусом, что обеспечивает надёжность и стабильность.
Коэффициент КСВН усилителей KeyLink составляет 3. При превышении выходным КСВН установленного порога усилитель автоматически отключает управляющий сигнал для защиты от повреждений.
Коэффициент КСВН усилителей KeyLink составляет 3. При превышении выходным КСВН установленного порога усилитель автоматически отключает управляющий сигнал для защиты от повреждений.
Ключевые особенности
√ Широкая полоса пропускания и высокая мощность
√ Высокий КПД
√ Малые габариты и вес
√ Низкие искажения
√ Дополнительный внешний радиатор
√ Встроенные цепи управления и защиты
√ Быстрая передача сигналов, хорошая стабильность
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
1. Каковы соответствующие преимущества и различия в применении между транзисторами GaN и LDMOS?
Наряду с развитием технологий мобильной связи 4G и 5G, GaN был продвинут на рынок базовых станций связи благодаря своим превосходным характеристикам в высокочастотных сценариях применения. Однако в низко- и среднечастотных сценариях применения LDMOS остается основным выбором благодаря своим преимуществам, таким как низкая стоимость, высокая степень интеграции и более дружелюбный DPD (цифровая предварительная коррекция).
Основываясь на их соответствующих преимуществах, основные области применения LDMOS и GaN различны: GaN в основном сосредоточен в высокочастотных сценариях с высокой мощностью, в то время как LDMOS в основном сосредоточен в низко- и среднечастотных сценариях, а также применяется в некоторых высокочастотных сценариях с низкой мощностью. Однако выбор между LDMOS и GaN не является фиксированным и часто меняется в соответствии со стратегией производителя.