Широкополосные ВЧ усилители мощности высокой мощности KB80120M50A

Несмотря на то, что твердотельные ВЧ усилители могут хорошо работать в диапазоне СВЧ, минимальное рабочее напряжение составляет всего 26 вольт, что ниже 32 В, а типичное напряжение находится в районе 28 вольт. Этот широкополосный усилитель мощности 8-12 ГГц подходит для X-диапазона и демонстрирует превосходные характеристики в таких областях, как радарная техника, спутниковая связь и т.д.

В этом усилителе класса А используются транзисторы GaN, которые зарекомендовали себя как надежные, эффективные и производительные. GaN быстро становится полупроводниковым материалом выбора для многих транзисторных применений. GaN обладает высокой подвижностью электронов, обеспечивает большее усиление на высоких частотах и имеет более высокий КПД по сравнению с эквивалентной технологией LDMOS. К преимуществам транзисторов GaN также относятся более высокая плотность мощности, пробивное напряжение, высокая теплопроводность и более низкие требования к питанию. Эти преимущества могут привести к повышению эффективности (даже на более высоких частотах), уменьшению габаритов, снижению общих системных характеристик, повышению надежности и производительности мирового класса. GaN также имеет высокую энергию активации, что обеспечивает отличные тепловые характеристики и значительно более высокое пробивное напряжение. Транзисторы GaN могут работать в более широком диапазоне температур, чем обычные транзисторы, и хорошо работают в суровых условиях, что делает их идеальными для ВЧ применений. Конструкция усилителя мощности класса AB с точки зрения эффективности прошла термическое моделирование, а корпус изготовлен из алюминия, который является более прочным и надежным, чем другие материалы. Все эти превосходные характеристики устройства приводят к тому, что этот твердотельный усилитель мощности обеспечивает лучшую эффективность, с типичным КПД 11%.