Современный широкополосный РЧ-усилитель высокой мощности KB60180M45B
ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
Модель KB60180M45B представляет собой многооктавный усилитель высокой мощности, работающий в диапазоне 6–18 ГГц и обеспечивающий широкий динамический диапазон при типичной мощности 30 Вт.
Усилитель класса AB подходит для применения в C-, X- и Ku-диапазонах, которые используются в радиосвязи, радиолокации, спутниковой связи, испытаниях и измерениях.
Усилители мощности на GaN от KeyLink обеспечивают стабильный сигнал с входными потерями отражения –10 дБ. Импеданс – 50 Ом.
Габариты – 150×90×30 мм (5,90×3,54×1,18 дюйма), вес – 1,0 кг (2,2 фунта).
Использование нитрида галлия (GaN) и технологии Chip-and-Wire позволяет добиться большего усиления в РЧ-усилителях. GaN становится предпочтительным полупроводниковым материалом для многих транзисторных применений благодаря отличным тепловым характеристикам. Его преимущества поддерживают такие ключевые требования, как высокое усиление, низкое энергопотребление и широкая полоса пропускания.
GaN-транзисторы зарекомендовали себя как надёжные и эффективные материалы, работающие в жёстких условиях эксплуатации. GaN-усилители мощности также нашли применение в связи благодаря быстрому переключению и компактной конструкции.
Усилитель имеет компактную модульную конструкцию и встроенную систему управления и защиты, что обеспечивает длительное использование продукта.
Высококачественные теплоотводы позволяют модулю сохранять высокие характеристики в различных условиях. По запросу мы можем предоставить заказчикам дополнительные теплоотводы.
Усилитель класса AB подходит для применения в C-, X- и Ku-диапазонах, которые используются в радиосвязи, радиолокации, спутниковой связи, испытаниях и измерениях.
Усилители мощности на GaN от KeyLink обеспечивают стабильный сигнал с входными потерями отражения –10 дБ. Импеданс – 50 Ом.
Габариты – 150×90×30 мм (5,90×3,54×1,18 дюйма), вес – 1,0 кг (2,2 фунта).
Использование нитрида галлия (GaN) и технологии Chip-and-Wire позволяет добиться большего усиления в РЧ-усилителях. GaN становится предпочтительным полупроводниковым материалом для многих транзисторных применений благодаря отличным тепловым характеристикам. Его преимущества поддерживают такие ключевые требования, как высокое усиление, низкое энергопотребление и широкая полоса пропускания.
GaN-транзисторы зарекомендовали себя как надёжные и эффективные материалы, работающие в жёстких условиях эксплуатации. GaN-усилители мощности также нашли применение в связи благодаря быстрому переключению и компактной конструкции.
Усилитель имеет компактную модульную конструкцию и встроенную систему управления и защиты, что обеспечивает длительное использование продукта.
Высококачественные теплоотводы позволяют модулю сохранять высокие характеристики в различных условиях. По запросу мы можем предоставить заказчикам дополнительные теплоотводы.
Ключевые особенности
√ Малые габариты и вес
√ Сверхширокополосная работа без перестройки
√ Вход и выход согласованы на 50 Ом
√ Встроенные схемы управления и защиты
Часто задаваемые вопросы
1. Почему мы уверены в своей способности осуществлять поставки?
Мы создали комплексную систему управления поставщиками, тщательно оцениваем их квалификацию и работаем с локальными поставщиками. Это позволяет контролировать качество сырья и снижать риски. Кроме того, мы можем закупать сырьё в кратчайшие сроки, что способствует сокращению сроков поставки продукции. (Почти все поставщики транзисторов и компонентов KeyLink Microwave находятся в Китае, что обеспечивает стабильность поставок.)


Усилители мощности (РЧ)
Блочный повышающий конвертер (BUC)
Приёмопередающие модули
РЧ Компоненты
РЭБ
Коммуникация
Радар
Тестирование и измерение



