РЧ усилители мощности
Трансивер модуль
РЧ Компоненты
Система безопасности
РЭБ
Коммуникация
Радар
Тестирование и измерение
0102030405
Импульсные усилители высокой мощности KNP2900M60A
Введение продукта
Этот СВЧ импульсный усилитель высокой мощности способен усиливать сигналы до типичной насыщенной выходной мощности 1000 Вт во всем рабочем диапазоне частот от 2700 МГц до 3100 МГц. Применение передовых импульсных мощных приборов при производстве обеспечивает этому модулю исключительные мощностные характеристики, долгосрочную надежность и высокую эффективность. Данный импульсный усилитель высокой мощности подходит для мощных импульсных применений в диапазонах СВЧ, СЧ, ВЧ и ОВЧ. Импульсные усилители высокой мощности KeyLink характеризуются высоким коэффициентом усиления, широкой полосой пропускания, низкими искажениями, высокой стабильностью, быстрым временем отклика и в основном используются в области радиолокации. В данном импульсном усилителе высокой мощности используется металлополупроводниковый транзистор на арсениде галлия. Арсенид галлия (GaAs) обладает характеристиками высокой частоты, высокой подвижности электронов, высокой выходной мощности, высокой линейности и низкого уровня шума и имеет широкий спектр применений в областях оптоэлектроники и радиочастотной техники. Импульсные усилители высокой мощности KeyLink подходят для высокочастотных и сильноточных применений. Наш импульсный усилитель имеет высокие показатели эффективности и хорошей линейности. Составленный на его основе радиочастотный усилитель мощности часто работает в режиме класса A.
Ключевые особенности
√ Импульсный усилитель высокой мощности, типичная мощность 1000 Вт
√ Высокий КПД
√ Низкие искажения
√ Мощный усилитель на технологии GaN (Нитрид галлия)
√ Встроенная защита от перегрева, перегрузки по току и перенапряжения.
Почему KeyLink использует технологию GaN?
GaN быстро становится полупроводниковым материалом выбора для многих применений транзисторов. GaN обладает высокой подвижностью электронов, обеспечивает большее усиление на более высоких частотах и более эффективен, чем эквивалентная технология LDMOS (Laterally Diffused MOSFET). GaN также имеет высокую энергию активации, что приводит к превосходным тепловым свойствам и значительно более высокому напряжению пробоя. Преимущества транзисторов на нитриде галлия также включают более высокую удельную мощность, более высокое пробивное напряжение, более высокую теплопроводность и более низкие требования к мощности. Эти преимущества приводят к более высокой эффективности (даже на более высоких частотах), меньшему форм-фактору, более низкому общему системному рейтингу, более высокой надежности и производительности высшего класса. Использование транзисторов GaN поддерживает критически важные радиочастотные требования, такие как высокий коэффициент усиления, низкое энергопотребление, высокая пропускная способность и чрезвычайно высокая скорость переключения.
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
1. Какова производственная мощность KeyLink?
У KeyLink 12 производственных линий и автоматизированная тестовая платформа. Эти стандартизированные производственные линии обеспечивают нашу производственную эффективность и позволяют достичь производственной мощности в 3000 штук в месяц.
2. Какие виды модуляции поддерживают мощные усилители KeyLink?
Мощные усилители KeyLink поддерживают модуляции, включая AM (амплитудную), FM (частотную), многотональную и импульсную.